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IBM、ゲート長6nmの世界最小シリコントランジスタ
12月9日(現地時間)発表 米IBMは9日(現地時間)、ゲート長6nmのシリコン製トランジスタの試作に成功したと発表した。同社では「これまでに報告された中でもっとも小さいMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)」としている。 ゲート長の微細化にあたっては、微細化するほどオン/オフの切り替えが困難になるという問題があったが、SOI(シリコン・オン・インシュレーター)のウェハ上のシリコンの厚みを4～8nmと薄くすることで対処したとしている。 今回の成功により、トランジスタの素子構造が分子スケールでも機能することが示されたが、「性能を保ちつつ、電力密度と発熱の問題に対処するためには引き続き技術開発が必要」としている。 なおこのトランジスタについて、サンフランシスコで11日まで開催中の「IEDM(国際電子デバイス会議)」で発表される。 □IBMのホームページ (2002年12月10日) [Reported by tanak-sh@impress.co.jp]
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