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東芝とソニー、世界初65nm世代のDRAM混載システムLSI技術12月3日 発表 株式会社東芝とソニーは3日、世界で初めて65nm世代のSOC(System on Chip)向けDRAM混載システムLSI技術を開発したと発表した。 SOCは1つのチップ上にプロセッサとメモリなどを同時に形成したもの。様々なチップを組み合わせているシステムと比較して、より大量のデータを高速に処理できるほか、消費電力やコスト、実装面積の削減が可能になる。
東芝はすでに90nm世代でDRAM混載製品の生産技術を有しているが、今回両社が協力して65nm対応の技術を開発した。 世界最速のスイッチングスピードの高性能トランジスタ、世界最小の混載DRAMセル、世界最小の混載SRAMセルなどを実現したとしており、1チップのシステム上に256Mbit以上のメモリを搭載できるという。 今回の発表についてソニーは、「基本的技術開発の発表であり、そのアプリケーションはこれから模索していくところ。最終的に次世代プレイステーションで採用される可能性はゼロとは言えないが、現時点では全く決まっていない」とコメントしている。 □東芝のホームページ (2002年12月3日) [Reported by wakasugi@impress.co.jp]
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