日立、10MB/sec書き込みの大容量多値フラッシュメモリ
～1GB CFと256MB MMCの製品化を計画

10月サンプル出荷開始

サンプル価格：8,000円



　株式会社日立製作所 半導体グループは、10MB/secの高速書き込みができる1Gbitの多値フラッシュメモリ「HN29V1G91」のサンプル出荷を10月に開始する。サンプル価格は8,000円。また、同チップを搭載した1GBのCFカード、256MBのMMCの開発が計画されている。

　10MB/secの書き込み速度は、従来の多値フラッシュメモリの5倍にあたり、多値フラッシュメモリとしては、業界初としている。1チップで128MBの容量が確保でき、128MBのデータ転送が約13秒で終了するという。同社では、動画記録や高解像度の静止画記録などの用途を想定している。

　製造プロセスは0.13μmプロセス。パッケージは48ピンのTSOP。素子の形式は日立独自のAssist Gate-AND(AG-AND)だが、ピン配置はNAND型と互換で、一部のソフトウェアの変更で対応できるとしている。

　多値セルを使用したフラッシュメモリは、2値のセルに対して、大容量が実現しやすい代わりに書き込み速度が遅いという問題があった。

□日立製作所のホームページ
http://www.hitachi.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.hitachi.co.jp/New/cnews/2002/0710/index.html

(2002年7月10日)

[Reported by date@impress.co.jp]

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