特集

【2月の人気・注目記事まとめ】業界動向編

～Intelが7nmプロセスの半導体製造工場を建設、次世代スパコン「TSUBAME3.0」、東芝の3Dフラッシュ製造棟起工など

中村真司

2017年3月4日 06:00

TSMCがISSCCで5nmプロセスまでのプロセス技術を展望
(2月8日掲載)
　5nmプロセスまでの半導体プロセス技術がどうなるのか。先端プロセスの状況を俯瞰する講演をTSMCが「ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference)」で行なった。TSMCは、CPUやGPU、SoCなどを製造するファウンドリ最大手。現在、先端ロジックプロセスで残っているのは、Intel、TSMC、Samsung、GLOBALFOUNDRIESの4社のみ。その中でファウンドリビジネスで最大であるTSMCが描く、先端プロセスの技術絵図は、重要な意味を持つ。
記事全文はこちら

64層の3D NAND技術で512Gbitの大容量データをシングルダイに収容
(2月8日掲載)
　NANDフラッシュメモリの最大手ベンダーであるSamsung Electronicsと、2番手ベンダーであるWestern Digital(WD)-東芝連合はそれぞれ、512Gbitの3D NANDフラッシュメモリを国際学会「ISSCC 2017」で2月7日(米国時間)に発表した。
記事全文はこちら

Intel、米アリゾナ州に7nmプロセス量産を目指す半導体工場を70億ドルで建設
(2月9日掲載)
　米Intelは8日(現地時間)、ホワイトハウスにて、米アリゾナ州で建設中の新ファウンドリ「Fab 42」の完成に70億ドル(約7,860億円)を投資すると、米ドナルド・トランプ大統領および同社CEO ブライアン・クルザニッヒ氏の共同発表を行なった。
記事全文はこちら

東芝、3次元フラッシュを製造する四日市工場第6製造棟を起工
(2月9日掲載)
　東芝は9日、フラッシュメモリを製造する四日市工場の第6製造棟、および開発センターの起工式を行なった。
記事全文はこちら

SK Hynixと東芝が共同開発した4Gbitの大容量STT-MRAM
(2月9日掲載)
　スピン注入磁気メモリ(STT-MRAM)は、次世代の大容量不揮発性メモリの有力候補である。原理的には、20nm以下の微細化が可能で、記憶容量当たりのシリコン面積(製造コスト)はDRAMに近く、読み出しと書き込みの速度もDRAMに近い。データを書き換え可能な回数は半永久的であり、データを保存できる期間は10年以上と長い。
記事全文はこちら

GLOBALFOUNDRIES、中国・成都に半導体工場を建設
(2月13日掲載)
　米GLOBALFOUNDRIESは9日(現地時間)、同社の既存半導体工場の製造能力拡大と、中国に新工場を建設する計画を発表した。
記事全文はこちら

次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCとSamsungが公表
(2月16日掲載)
　スマートフォンやタブレットなどに向けた高性能大規模SoC(System on a Chip)の製造技術が、急速に微細化しつつある。次世代に相当するのは7nm世代のCMOSロジック技術である。量産開始のタイムスケジュールは今のところ、2018年とされている。以前は7nm世代の量産開始は2019年以降とされていたのが、昨年(2016年)になって前倒しにされた。
記事全文はこちら

東工大の次世代スパコン「TSUBAME3.0」はビッグデータとAIにフォーカス
(2月22日掲載)
　東京工業大学の次世代スーパーコンピュータ「TSUBAME3.0」が、この夏8月に本稼働を開始する。NVIDIAのPascalベースのGPUスパコンで、システム全体ではピークで12.15PFLOPSの倍精度性能となる。平行して稼働を続けるTSUBAME2.5と合わせて、15～20PFLOPSの倍精度演算能力を目標とする。
記事全文はこちら