12月3日(現地時間)発表

　米AMDは3日、これまでで最高速のスイッチング速度を持つCMOSトランジスタを開発した、と発表した。この研究については、12月4日から米国で開催される電子素子についての国際会議「2001 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)」において詳細が発表される予定。

　このCMOSトランジスタは同社サブミクロン・プロセス研究開発センタが製作したもので、動作電圧は0.8V、ゲート長は0.015μm(15nm)。0.3ps(3.33兆スイッチ/sec＝3.33テラヘルツ)のスイッチング速度となるように設計されている。同社が2009年頃に量産を計画している、0.03μmプロセスのプロセッサのプロトタイプと位置付けられている。0.03μmプロセスでは、300mmウェハを使用するとしている。

　同社のクレイグ・サンダー副社長(技術開発グループ担当)は、「今回の先行的な研究の成果は、長期的なロードマップと戦略に対する自信を深めさせてくれると同時に、AMDの短期的開発プログラムに役立つ副産物的な技術も提供します」と述べている。

□AMDのホームページ(英文)
http://www.amd.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.amd.com/us-en/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~13001,00.html
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～ムーアの法則は2007年まで有効?
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/article/20011127/intel.htm

(2001年12月3日)

[Reported by tanak-sh@impress.co.jp]