Samsung、512MbitのNAND型Flashメモリを開発

1月19日(現地時間) 発表


　韓国Samsung Electronicsは、19日(現地時間)、512MbitのNAND型Flashメモリを開発したことを発表した。製造プロセスは0.15μmで、量産は2001年度第3四半期を予定している。同社では「2枚積層することで、1Gbitの製品も提供することができる」としている。

　同社では、「製造マスク枚数や製造コストなどは、競合するフラッシュメモリと比較して、最も少ないだろう」としており、デジタルカメラや携帯電話、PDAなどのモバイル製品のストレージデバイスなどでの利用を見込んでいる。

□Samsung Electronicsのホームページ(英文)
http://samsungelectronics.com/
□Samsungのホームページ(英文)
http://www.samsung.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.samsung.com/news/samsung/2001/sec0119-20010119140757.html

(2001年1月23日)

[Reported by usuda@impress.co.jp]

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