東芝とSanDisk、1Gbit NANDフラッシュメモリを発表

9月10日(現地時間)発表


　東芝アメリカ電子部品社と米SanDiskは10日(現地時間)、1Gbit NAND型フラッシュメモリの製品化に成功したと発表した。

　0.13μmの微細加工技術を利用し、1チップで1Gbit NANDフラッシュメモリを実現可能となる。小型メモリーカードや内蔵型フラッシュメモリへの応用が見込まれている。

　製造は両社の合弁会社であるフラッシュビジョン四日市工場で行ない、2003年第1四半期よりコンパクトフラッシュなどのメモリーカードに採用していく。また、10月以降に512/256/128Mbit製品にも0.13μm加工技術が導入される見込み。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2002_09/pr_j0901.htm
□東芝アメリカ電子部品社のホームページ(英文)
http://www.toshiba.com/taec/
□ニュースリリース(英文)
http://www.toshiba.com/taec/press/to-232.shtml
□SanDiskのホームページ(英文)
http://www.sandisk.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.sandisk.com/pressrelease/020910_toshiba.htm

(2002年9月11日)

[Reported by usuda@impress.co.jp]

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