Micron Technologyが開発した強誘電体不揮発性DRAM技術(論文番号T6-2)。垂直トランジスタを採用してメモリセルの大きさを4F2(F2は設計ルールの2乗)に最小化している。メモリセルアレイのピッチは41nmとかなり狭い。強誘電体キャパシタの直径は33nmと短い。読み出しと書き込みの動作電圧は1.4V。分極反転の寿命は10の10乗回(1.4V、95℃)。2025年4月18日に開催された記者会見の資料から
