Huawei Technologiesが試作した32Mbitのハフニウム酸化物系強誘電体メモリ(FeRAM)(論文番号T6-5)。1T1Cタイプの32Mbitダイを試作した。強誘電体キャパシタの読み出し寿命は10の13乗サイクル、書き込み寿命は10の11乗サイクルとかなり長い(温度は125℃)。データ保持期間は125℃で10年。2025年4月18日に開催された記者会見の資料から
