TSMCのオンチップキャッシュ用酸化物半導体メモリ(論文番号T2-1)。酸化物半導体チャンネルのトランジスタとキャパシタを多層配線工程(BEOL)に作り込んだ1T1Cセルである。動作電圧は0.75Vとかなり低い。ランダムサイクル時間は8nsと短い(0.75V、85℃)。キャパシタはDRAMと同様にリフレッシュ動作を必要とする。電荷保持時間は128ms。テスト用に1Mbitのセルアレイを試作した。2025年4月18日に開催された記者会見の資料から
