Samsungが開発した第9世代の3D NANDフラッシュメモリ技術(論文番号T1-5)。ワード線の積層数は286層。第8世代の236層と比べて積層数が25%増であるにもかかわらず、記憶密度を50%増に拡大した。シリコンダイの記憶容量は1Tbit。2025年4月18日に開催された記者会見の資料から
