Georgia Institute of TechnologyとSamsung Electronicsに共同研究グループによるWドープのインジウム酸化物MOS FETでオン電流の増強と安定性の改善を実現した研究成果(論文番号T1-3)。なお図中のオン電流は240μA/μmが正しい表記とみられる。2025年4月18日に開催された記者会見の資料から
