工業グレードの3D NANDフラッシュメモリ。シリコンダイの記憶容量は512Gbit、メモリの記憶容量は64GB～512GBである。動作温度範囲は-40～85℃とかなり広い。想定用途は第5世代移動体通信(5G)の基地局、高信頼SSD、サーバーとストレージのブート
