BiCS6(上)とBiCS8(下)の選択ゲート(SG)分離手法の違い。BiCS6ではSG分離用の溝をダミーホールの上に形成していた。一方のBiCS8ではメモリホールの間に直接、溝を形成した。一部の選択ゲートは溝によって削られるものの、トランジスタの電流電圧特性は変化しない(右端のグラフ)。キオクシアがキーノート講演で発表したスライドから
