前の画像
次の画像
記事へ
TSMCなどの共同研究チームによる2次元遷移金属ダイカルコゲナイド(MoS2)チャンネルトランジスタの微細化技術(番号T1-4)。2024年4月19日に開催された記者会見の資料から
性能が18%も向上した「Intel 3」プロセスの仕組み
2024年6月20日
次世代スマートフォンの音声コマンド入力やHi-Fiオーディオなどを実現する回路技術がVLSIシンポジウムに登場
前年の1.4倍、過去最多の投稿数で盛り上がるVLSIシンポジウム
2024年6月18日
福田昭のセミコン業界最前線
次世代プロセス「Intel 4」などがVLSIシンポジウムで発表へ
2022年5月27日