Micron Technologyが開発した3D NANDフラッシュメモリセル薄型化技術(番号T1-3)。積層ワード線間の層間絶縁膜にエアギャップを導入してワード線の寄生容量を下げるとともに、電荷捕獲領域をセルごとに分離して隣接セル間の干渉を抑えた。2024年4月19日に開催された記者会見の資料から
