従来の相変化型記憶素子と書き込み原理(模式図)。初期状態では、カルコゲナイド合金層はすべて結晶状態にある。下部電極とカルコゲナイド合金層(結晶相)の間に抵抗素子(ヒーター)を設ける。外部から電圧を加えることで電流を流し、ヒーターによってカルコゲナイド合金を加熱して結晶相の一部をアモルファス相に相変化させる。この結果、電気抵抗が上昇する
