クロスポイントメモリセル層の断面を電子顕微鏡で観察した画像。上からビット線、相変化型記憶(PCM)素子、セル選択素子(セレクタ)、ワード線となっている。Intelが2020年12月にIEDMで発表した論文(論文番号24.1)から
