次世代トランジスタと次世代3D NANDを実現するデバイス・プロセス技術【VLSIシンポジウム前日レポート】(20/20)

KAISTなどの共同研究グループが開発した3次元積層InGaAs HEMTとNb超伝導体による極低温超高周波トランジスタ(番号T7-5)。2023年4月25日に開催された記者会見の資料から