次世代トランジスタと次世代3D NANDを実現するデバイス・プロセス技術【VLSIシンポジウム前日レポート】(18/20)

Stanford Univ.などの共同研究グループが開発した超高分極の酸化ハフニウム強誘電体キャパシタ(番号T7-3)。2023年4月25日に開催された記者会見の資料から