SiC MOS FETの安全動作領域(SOA)を決めるストレス時間、電界、温度の関係(onsemiの研究成果、発表番号11A.2)。左(Figure3)は電圧ストレスと動作時間、不良率の関係(a)。温度は175℃。その右(b)はワイブルプロット。右(Figure6)は安全動作領域(SOA)。点線は不良率5ppm、実線は不良率63%となる条件(縦軸は時間、横軸はゲートソース電圧)。IRPS 2023のWebサイトから
