直径300mmのシリコンウェハに超高周波nチャンネルGaN MOS FETを作成(講演番号35.1)<br><span class="fnt-75">Intelが説明会で配布したスライドから</span>

直径300mmのシリコンウェハに超高周波nチャンネルGaN MOS FETを作成(講演番号35.1)
Intelが説明会で配布したスライドから