前の画像
次の画像
記事へ
複数の結晶相を含む二酸化ハフニウム(ハフニア)多結晶膜で分極特性をモデリング(講演番号13.1)Intelが説明会で配布したスライドから
Intel、2030年までに1パッケージに1兆トランジスタ実現へ
2022年12月5日
福田昭のセミコン業界最前線
TSMCが12月のIEDMでサブnm時代をにらんだトランジスタ技術を発表へ
2022年10月31日
12月の国際学会IEDMに次世代不揮発性メモリの研究成果が集結
2022年10月28日
Intel、ポストCMOSとなる新半導体素材「MESO」
2018年12月5日
国策半導体会社ラピダスが提携したimecの最先端半導体製造技術
2022年12月26日
高性能半導体の実現に不可欠となった先進パッケージング技術
2024年5月29日