室温で低電圧かつ高速にスイッチングする磁気電気効果素子(講演番号36.4)。材料はビスマス鉄酸化物(BiFeO3)にランタン(La)をドープしたもの(LBFO)。Laをドープするとスイッチング電圧が下がる<br><span class="fnt-75">Intelが説明会で配布したスライドから</span>

室温で低電圧かつ高速にスイッチングする磁気電気効果素子(講演番号36.4)。材料はビスマス鉄酸化物(BiFeO3)にランタン(La)をドープしたもの(LBFO)。Laをドープするとスイッチング電圧が下がる
Intelが説明会で配布したスライドから