4個の強誘電体キャパシタ(C)を垂直に積層するメモリセル(講演番号6.7)。埋め込みDRAMの置き換えを狙う<br><span class="fnt-75">Intelが説明会で配布したスライドから</span>

4個の強誘電体キャパシタ(C)を垂直に積層するメモリセル(講演番号6.7)。埋め込みDRAMの置き換えを狙う
Intelが説明会で配布したスライドから