書き換えサイクル試験の結果。左と中央はセル電流を横軸とするビットのばらつき。しきい電流(Trip Point)よりも高い電流のビットがLRS(低抵抗状態)、しきい電流よりも低い電流のビットがHRS(高抵抗状態)。HRSのばらつきが大きい。右は書き換えサイクル数を横軸とするビット誤り率の推移。50万サイクルを超えるとビット誤り率が上昇していく。TSMCが2022年6月に国際学会VLSIシンポジウムで公表したスライドから(講演番号T04-5)
