試作したSTT-MRAMのメモリセル(左)と磁気トンネル接合(右)の断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した画像。磁気トンネル接合(MTJ)の直径は35nmと短い。IEDM 2019の発表論文(講演番号2.6)から
