Intel、1GBの4次キャッシュ実用化を見込んだMRAM技術(6/8)

2MBのマクロの書き換えサイクル数とビット誤り率(BER)、電源電圧の関係。書き込みパルスの幅は20ns。IEDM 2019の発表論文(講演番号2.4)から