MTJの直径が43nmのメモリセルでパルス時間3nsの書き込みを実施したときの書き込み誤り率(WER)と書き込み電圧の関係。書き込み電圧が0.8V前後のときに、10のマイナス11乗以下と低い誤り率を達成できている。なお10の11乗回の書き込みを繰り返した段階でも不良がまったく発生しなかったので、テストはこの時点で中止された。IEDM 2019の発表論文(講演番号2.6)から

MTJの直径が43nmのメモリセルでパルス時間3nsの書き込みを実施したときの書き込み誤り率(WER)と書き込み電圧の関係。書き込み電圧が0.8V前後のときに、10のマイナス11乗以下と低い誤り率を達成できている。なお10の11乗回の書き込みを繰り返した段階でも不良がまったく発生しなかったので、テストはこの時点で中止された。IEDM 2019の発表論文(講演番号2.6)から