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メモリホール密度の向上と高層化、多値化による記憶密度の変化。Western Digitalが2019年8月にFMSのキーノート講演で発表したスライドから
SK Hynixが3D NAND開発で最先端に、TLCで初の1Tbitフラッシュを誇示
2019年8月16日
福田昭のセミコン業界最前線
過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場
2019年8月9日
半導体メモリに対する高い関心を証明した初めての日本開催
2018年5月14日
連載福田昭のセミコン業界最前線
64層の3D NAND技術で512Gbitの大容量データをシングルダイに収容
2017年2月8日
パチンコ新世代機の国内投入でNAND需要増
2020年5月26日
「フラッシュメモリサミット」に次世代のNANDフラッシュとストレージが集結
2023年7月27日
技術革新を迫られるNANDフラッシュの高密度化
2023年11月29日