周辺回路のMOSトランジスタにおけるコンタクト。左が周辺回路をメモリセルアレイの周囲にレイアウトした場合。コンタクトが高いので、寄生容量が大きい。右が周辺回路をメモリセルアレイの直下にレイアウトした場合、コンタクトが低く、寄生容量が小さい。東芝-WD連合の講演スライド(講演番号13.5)から
