折れ曲がりのある複雑な配線パターンにおける解像度(忠実度)の違い。上は配線パターンのレイアウト。左はEUV露光(シングル露光)、右はArF液浸露光(マルチパターニング)によって形成したウェハ上のパターン。 ArF液浸露光(マルチパターニング)に比べるとEUV露光(シングル露光)は、マスクパターンに対する忠実度が70%ほど向上する。Samsungが2018年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から

折れ曲がりのある複雑な配線パターンにおける解像度(忠実度)の違い。上は配線パターンのレイアウト。左はEUV露光(シングル露光)、右はArF液浸露光(マルチパターニング)によって形成したウェハ上のパターン。 ArF液浸露光(マルチパターニング)に比べるとEUV露光(シングル露光)は、マスクパターンに対する忠実度が70%ほど向上する。Samsungが2018年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から