SOT-MRAMのメモリセル構成。記憶素子は、磁気トンネル接合(MTJ)とスピン軌道トルク層で構成される3端子素子である。セル選択スイッチには、読み出し用トランジスタと書き換え用トランジスタの2つのトランジスタが必要となる。Western Digitalが2018年8月に開催されたイベント「MRAM Developer Day」で発表した講演スライドから
