SOT-MRAMの記憶素子の断面構造例。下からボトム電極(BE)、スピン軌道トルク(SOT)層、自由層(FL)、トンネル絶縁膜層(MgO)、固定層(RL)の順。黄色い矢印は磁化(磁気モーメント)の方向。赤い矢印はデータ読み出し動作での電流経路。この図面では、STT(スピン注入トルク)とSOT(スピン軌道トルク)の両方の書き込み電流を表示している。SOTの書き込み電流の経路は「SOT-Write」と表記された矢印である。電流によってスピンホール効果が発生し、自由層側と反対側にスピン状態の異なる電子(黒丸の黄色い円とバツ印の黄色い円)が分かれて動き、磁化が生じている。imecが2018年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から引用した(論文番号C8-2)

SOT-MRAMの記憶素子の断面構造例。下からボトム電極(BE)、スピン軌道トルク(SOT)層、自由層(FL)、トンネル絶縁膜層(MgO)、固定層(RL)の順。黄色い矢印は磁化(磁気モーメント)の方向。赤い矢印はデータ読み出し動作での電流経路。この図面では、STT(スピン注入トルク)とSOT(スピン軌道トルク)の両方の書き込み電流を表示している。SOTの書き込み電流の経路は「SOT-Write」と表記された矢印である。電流によってスピンホール効果が発生し、自由層側と反対側にスピン状態の異なる電子(黒丸の黄色い円とバツ印の黄色い円)が分かれて動き、磁化が生じている。imecが2018年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から引用した(論文番号C8-2)