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磁気トンネル接合(MTJ)の磁化方向と電気抵抗
連載福田昭のセミコン業界最前線
ギガビット時代に突入するSTT-MRAM
2017年1月13日
STT-MRAMの「夢」を捨てたMicronとSamsungが見据える未来
2016年12月6日
プロセッサのキャッシュにMRAMを使う
2012年7月9日
プロセッサのキャッシュに不揮発性メモリを使う
2012年7月3日
超高速の不揮発性キャッシュを実現する次世代MRAM技術
2019年5月27日
SRAMの代替になる不揮発性SOT-MRAMの実用化で大きく前進
2019年12月10日
Intel、1GBの4次キャッシュ実用化を見込んだMRAM技術
2019年12月16日
東大、ワイル粒子を用いた不揮発性メモリの動作原理を実証
2020年4月21日
福田昭のセミコン業界最前線
TSMCが次世代不揮発性メモリの研究成果を大量放出
2022年7月29日