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第4世代の3D NANDフラッシュ技術を説明するスライド1枚目の右側を拡大したもの
MicronがDRAMと3D NANDの開発状況を一部明らかに
2018年6月22日
Micron、7mm厚2.5インチで容量7.68TBの“QLC NAND”採用SSD
2018年5月22日
福田昭のセミコン業界最前線
IntelとMicronが歩んだNANDフラッシュ連合の始まりと終わり
2018年1月22日
IntelとMicron、2019年以降は3D NANDの共同開発体系を解消へ
2018年1月9日
連載福田昭のセミコン業界最前線
Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術の中身
2015年7月30日
1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術
2021年4月2日
SK hynix、世界最高の238層TLC 4D NAND
2022年8月4日
1mm角のシリコンに15Gbitを詰め込む超々高密度の3D NANDフラッシュ技術
2022年9月29日
