16/14nm世代のロジック用FinFETの構造(右)と、対応する埋め込みフラッシュメモリセルの構造(左)。両方のトランジスタでゲート電極の高さが同じであることが、CMOSロジック互換を維持する。ルネサス エレクトロニクスが2016年12月に国際学会IEDMで発表した論文(講演番号11.1)から
