ロジック用トランジスタの微細化によるゲート高さの低下と、浮遊ゲート(FG)構造のセルトランジスタの高さ。FG構造のトランジスタはゲート電極が制御ゲートと浮遊ゲートの2層であるために、ロジックのトランジスタと同様には微細化しづらい。この図面では、40nm世代のロジックがFG構造セルの限界であることを示唆している。ルネサス エレクトロニクスが2018年5月に国際学会IMWのショートコースで発表したスライドから
