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折れ曲がりのある配線パターンにおける解像度の違い。左はEUVリソグラフィ(シングル露光)、右はArF液浸リソグラフィ(マルチパターニング) 出典: VLSIシンポジウム委員会
Samsung、EUVリソグラフィ採用の7nm FinFET技術を公表
2017年6月8日
連載福田昭のセミコン業界最前線
IntelとSamsungが7nmロジック量産への適用を目指すEUV露光技術
2017年3月17日
次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCとSamsungが公表
2017年2月16日
両極端に分かれたIBMとTSMCの次々世代半導体製造技術
2016年12月9日
Samsung、2020年にEUV露光による半導体量産を開始
2018年9月4日
Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。ArF液浸露光から大幅コストダウン
2018年10月18日
福田昭のセミコン業界最前線
EUV露光による先端ロジックと先端DRAMの量産がついにはじまる
2018年12月25日
QualcommとSamsungが「Snapdragon 765」の製造技術を公表
2020年6月29日