最先端ロジック製造技術によって試作したSRAMの例。なおSamsungが試作した256Mbit SRAMシリコンダイは、ウェハレベルの生産で歩留まりを測定している。約50%の歩留まりを得ているという ※過去の国際学会発表資料を基に、筆者がまとめた
