12月開催のIEDM 2017で披露される次世代の半導体製造技術とメモリ技術(14/14)

GAA MOS FETで作製したリング発振器の特性。縦軸が遅延時間(相対値)、横軸が動作電圧(相対値)。IEDM実行委員会が報道機関向けに発表した資料から