SMIC、中国初となる14nm FinFETプロセスのリスク生産開始

　中国の半導体製造メーカーSemiconductor Manufacturing International Corporation(SMIC)は8日(中国時間)、FinFETプロセスによる半導体のリスク生産を開始しており、2019年末までに収益化を目指すと発表した。

　これは同社の2019年第2四半期決算報告で明らかにされたもので、共同最高経営責任者のZhao Haijun博士およびLiang Mong Song博士らが、「FinFETの研究開発は加速し続けている」と述べ、同社14nmプロセスは現在リスク生産段階にあり、年末までに収益に貢献する見込みであるとしている。

　また同社の第2世代FinFETにあたる12nmプロセスについても、顧客とのエンゲージメントを構築しはじめており、長期的かつ着実な協力関係を維持し、5G/IoT/自動車やそのほかの業界トレンドから生まれる機会を掴んでいくとアピールしている。

　SMICによると、14nm FinFET製造技術は社内で開発されたもので、プレーナ構造の28nmプロセス製造のデバイスと比較して、トランジスタ密度と性能の大幅向上、低消費電力化が謳われている。

　2019年初頭では上半期中の14nm生産開始を表明していたため、当初のロードマップからは若干の遅れがあると見られている。

　同社は第1四半期決算報告で、FinFETプロセス生産のため建設していた南方FinFET Fabの建設が完了し、12nmプロセスの開発も顧客への案内段階に入っていると発表している。