パワー半導体の材料とデバイスの特性比較。炭化シリコン(SiC)と窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)のパワーデバイスは、理論的にはシリコン(Si)よりも高い性能を発揮する

パワー半導体の材料とデバイスの特性比較。炭化シリコン(SiC)と窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)のパワーデバイスは、理論的にはシリコン(Si)よりも高い性能を発揮する