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Samsung、最大容量1TBでTurboWrite技術搭載のSSD「840 EVO」
～840から連続書き込み速度を大幅高速化
（2013/7/18 10:00）
- 7月18日(現地時間)発表
韓国Samsung Electronicsは18日(現地時間)、新世代のNANDフラッシュやコントローラを搭載した2.5インチSSD「840 EVO」シリーズを発表した。容量ラインナップは、120/250/500/750GB/1TBで、8月初旬よりワールドワイドで発売する。
「840」シリーズの後継となる製品。840では21nmプロセスだったNANDフラッシュメモリが1xnmプロセスの第2世代Toggle DDR 2.0(400Mbps) 3bit MLCに、コントローラは「MDX」から「MEX」へと進化し、ファームウェアも改善。これにより、840と比較して、連続書き込み速度は2～3倍に、4KBランダム読み込み速度は3割程度高速化された。その一方で、消費電力は若干ながら低減させ、耐久性と信頼性は同レベルを維持しているという。
ランダム書き込みの性能を向上させているのは、新たに搭載した「TurboWrite」技術によるもの。同技術は、NANDの一部をバッファとして利用することで高速化を図っている。そのため、バッファサイズを超える量の転送が一度に起きた際は、一時的に840に近いところまで性能が下がるが、同社では一般的な用途では満杯にならないだけのバッファサイズを確保しているとしている。
各容量ごとの主な仕様は下表の通り。
| 840 | 840 EVO | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 120GB | 250GB | 500GB | 120GB | 250GB | 500GB/750GB/1TB | |
| 連続読み込み(MB/sec) | 530 | 540 | 540 | 540 | 540 | 540 |
| 連続書き込み(MB/sec) | 130 | 250 | 330 | 410 | 520 | 520 |
| ランダム読み込み(4KB/QD1)(IOPS) | 7,900 | 7,900 | 7,900 | 10,000 | 10,000 | 10,000 |
| ランダム書き込み(4KB/QD1)(IOPS) | 29,000 | 29,000 | 29,000 | 33,000 | 33,000 | 33,000 |
| ランダム読み込み(4KB/QD32)(IOPS) | 86,000 | 96,000 | 98,000 | 94,000 | 97,000 | 98,000 |
| ランダム書き込み(4KB/QD32)(IOPS) | 32,000 | 62,000 | 70,000 | 35,000 | 66,000 | 90,000 |
このほか、TRIM、ガーベッジコレクション、S.M.A.R.T、AES 256bit暗号化に対応。平均故障間隔は150万時間。消費電力は平均100mW、アイドル時45mW。インターフェイスはSATA 6Gbps。本体サイズは69.85×100×6.8mm(幅×奥行き×高さ)、重量は最大53g。データ移行ソフト、SATA→USB 3.0変換ケーブルが付属する。
現在、韓国で製品発表会が行なわれており、その模様は追ってお伝えする。
