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Samsung、3D V-NAND採用SSD「850 EVO」を国内発売

〜レビューも掲載

「850 EVO」

 ITGマーケティング株式会社は、Samsung製3D V-NAND採用SSD「850 EVO」を12月中旬より発売する。価格はオープンプライスで、店頭予想価格は120GBが14,000円、250GBが19,000円、500GBが36,000円、1TBが67,000円前後。

 850 EVOは、840 EVOの後継となるコンシューマ向けハイエンド製品。積層型NANDである3D V-NANDを採用するのは、発売済みの850 PROと同じだが、850 PROの3D V-NANDが2bit MLCであるのに対し、850 EVOのそれは初の3bit MLCとなる。

 3bit MLCについては、信頼性を懸念するユーザーもいるが、Samsungでは従来の2D型NANDと比較して3D V-NANDの3bit MLCは耐性が2倍以上あるとしている。実際、2D型2bit MLC NANDを採用し、上位モデルとして位置付けられる「840 PRO」は、書き込み寿命が73TBWなのに対し、850 EVOは120/250GBが75TBW、500GB/1TBが150TBと長寿命を実現。製品保証も840 PROと同じ5年を保証している(840 EVOは3年)。平均故障間隔は150万時間。

 消費電力の面でも3D V-NANDは書き込み時の消費電力が2D NANDの半分に抑えられているほか、120〜500GBモデルについては、より省電力な「MGX」コントローラを初採用(1TBは従来と同じMEXコントローラ)。これによって、840シリーズと比べ、1W近い省電力を果たしている。DevSleepモードにも対応し、同モード時の消費電力は120〜500GBで2mW、1TBで4mWに抑えられている。加えて、低容量モデルでは、従来製品よりランダム書き込み速度が大きく強化されている。

 キャッシュ容量は120GBが256MB、250/500GBが512MB、1TBが1GB。840 EVO同様、NANDの予備領域の一部を疑似SLCバッファとして利用することで書き込み速度を向上させる「TurboWrite」技術に対応するが、バッファがいっぱいになった際の速度の落ち込みが840 EVOよりも低く抑えられている。最大連続読み込み速度は540MB/sec、書き込み速度は520MB/sec、ランダム読み込み速度(4K QD32)は最大98,000IOPS、書き込み速度(同)は最大90,000IOPS。

 インターフェイスはSATA 6Gbps。AES 256bit、TCG/Opal V2.0、Encrypted Drive(IEEE 1667)といった暗号化および、TRIM、ガーベージコレクション、S.M.A.R.Tなどの機能に対応。消費電力は、読み込み時最大3.7W、書き込み時最大4.4W、アイドル時最大50mW。本体サイズは100×69.85×6.8mm(幅×奥行き×高さ)、重量は最大66g。

 独自のデータ移行ソフト「Data Migration」と、SSD管理ソフト「Magician」が付属。後者は、SSDの設定や、状態、累計書き込みバイト数の確認のほか、性能/容量/信頼性のそれぞれに併せたシステムの自動最適化設定、予備領域のサイズ変更、ドライブの安全な消去、システムメモリをキャッシュに使う「RAPID Mode」のオン/オフなど幅広い機能を持つ。

実機レビュー

 今回、500GBモデルを試用する機会を得たので、簡単なレビュー結果も紹介する。比較に同容量の840 EVOを用意し、ベンチマークはCrystalDiskMarkとATTO Disk Benchmarkを使用した。

表面
裏面

 CrystalDiskMarkの結果を見ると、840 EVOが1,000MB/0fillの設定で、やや高い読み込み性能が出たことを除くと、連続アクセス速度はほぼ同じ。以前からだが、SATA 6Gbpsではすでに連続アクセス速度はインターフェイスがボトルネックとなり頭打ちとなっている。ランダムアクセスは、4Kの読み込みにおいて、850 EVOが2〜3割速い結果となっているが、4K QD32ではほぼ同じ性能となっている。

 ATTO Disk Benchmarkでは、データサイズが大きいと、CrystalDiskMarkの連続アクセス同様、ほぼ同程度の結果となっているが、サイズが小さい場合は、850 EVOの方が1〜2割ほど速い。今回、細かく検証はできていないが、このあたり、OSやアプリの起動で、体感できる差が出そうだ。

CrystalDiskMark 850 EVO 1,000MB
CrystalDiskMark 850 EVO 4,000MB
CrystalDiskMark 850 EVO 1,000MB 0fill
CrystalDiskMark 850 EVO 4,000MB 0fill
CrystalDiskMark 840 EVO 1,000MB
CrystalDiskMark 840 EVO 4,000MB
CrystalDiskMark 840 EVO 1,000MB 0fill
CrystalDiskMark 840 EVO 4,000MB 0fill
ATTO Disk Benchmark 850 EVO
ATTO Disk Benchmark 840 EVO

 850 EVOは、RAPID Modeオンでも検証した。メインメモリを使うため、CrystalDiskMarkでは桁違いの速度となるが、ATTO Disk Benchmarkは、性能が安定しなかった。基本的には性能が向上するとみていいはずだが、DRAMを使うと言うことは、不意のシステムシャットダウンや電源断があると、ごっそりデータが消えてしまう可能性があるので、運用には注意を要する。また、若干だが使えるメインメモリ容量が減るので、最低要件の2GBしか搭載していないシステムでは、扱えるアプリやデータに影響が出る可能性がある。なお、RAPID ModeはSamsungの対応SSDでしか機能しない。

CrystalDiskMark 850 EVO RAPID Modeオン
ATTO Disk Benchmark 850 EVO RAPID Modeオン
RAPID Modeは他のメーカーの製品では機能しない
Magicianで850 EVOの状態を表示させているところ
性能や信頼性などに対してOSの設定を最適化できる
データの完全消去機能
RAPID Modeはこのソフトで切り替える
セキュリティ機能の切り替え
ベンチマーク機能も搭載
RAPID Modeオンでの結果
RAPID Modeを有効にすると、OS起動直後のメモリ使用量は8GB中1GB増えた

 このように比較してみると、850 EVOは840 EVOと比較して、低容量モデルこそ高速化されているが、概ね性能をそのままに3D V-NANDへ移行し、信頼性を高めた製品と言える。

 ただし、これは3D V-NANDが性能に影響を及ぼさないというわけではない。連続アクセスにおいては、すでにSATA 6Gbpsは限界に達しているので、速度向上が望めないだけだ。他方、容量においてもまだ3D V-NANDの高密度化が活かされておらず最大容量は向上していない。

 こういった点から、3D V-NANDが本領を発揮するのは次世代製品になると思われる。とは言え、850 EVOに意味がないわけではない。840 EVOから乗り換えるメリットは薄いが、新規に購入するのであれば、全方位で前世代製品を上回る850 EVOの方が魅力的であり、他の製品と比べても、ハイエンドを名乗るのにふさわしい実力を持っている。

(若杉 紀彦)