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Micron、コンシューマ向けを含むDDR4 SDRAMを8月より出荷
~16nm NAND採用の2.5インチSSDも同時発表
(2014/6/3 12:38)
米Micron Technologyは2日(現地時間)、次期Intelチップセット「Intel X99」でサポートされるDDR4 SDRAMモジュールのゲーミング向け製品とサーバー向け製品を8月より出荷することを発表した。価格などは現時点で明らかになっていない。
DDR4 SDRAMはDDR3 SDRAMに比べて高速化した上、1.5Vから1.2Vへ動作電圧が引き下げられることで省電力化する、次世代メインメモリの主流になると見られる規格。Micronのリリースでは、“一般的なDDR3メモリ比で約2倍の帯域幅”、“標準的なDDR3メモリ比で電力効率が40%向上”と謳われている。
ゲーミング向けDDR4モジュールはCrucialブランドの「Ballistix Elite DDR4」で、2,666MT/secと3,0000MT/secのモデルが用意される。容量は4GBと8GBで、8GB、16GB、32GBのキットも提供される。
また、2,133MT/secのデスクトップ向けメモリについても8月の出荷開始を予告。最大32GBのパッケージが用意される。
サーバー向けモジュールは、Xeon E5-2600 v3シリーズをターゲットに据えた製品。速度は2,133MT/sec。4GBと8GBのECC Unbuffered(288ピン)、4GB/8GB/16GBのRegistered(288ピン)、32GBのLR(Load Reduced)DIMM(288ピン)、8GBと16GBのVLP(Very Low Profile)DIMM(288ピン)、8GBのECC SO-DIMM(260ピン)が用意され、それぞれに2枚キット、4枚キットが提供される。
コストパフォーマンス重視の2.5インチSSD「MX100」
同日発表された2.5インチSSD「MX100」は、現行上位モデルのM550に近い性能を、M500よりも安価に提供することが売りの製品。容量は128GB、256GB、512GB。価格はオープンプライスで、店頭予想価格は順に9,000円前後、13,000円前後、25,000円前後の見込み。発売は6月上旬。
コントローラはMarvellの「88SS9189」。独自にカスタマイズしたファームウェアと組み合わせる。フラッシュメモリは、256GBモデルと512GBモデルは16nm NAND、128GBは20nm NANDを採用する。
シーケンシャルリードは3モデルとも550MB/sec。シーケンシャルライト、4Kランダムリード、同ライトは128GBモデルが150MB/sec、80,000IOPS、40,000IOPS。256GBモデルが330MB/sec、85,000IOPS、70,000IOPS。512GBモデルが500MB/sec、90,000IOPS、85,000IOPS。既存モデルとの比較は下表の通り。
インターフェイスはSATA 6Gbps。フォームファクターは2.5インチ/7mm厚のみで、M.2やmSATAなどは提供されない。
128/120GBモデル | MX100 | M550 | M500 |
シーケンシャル リード/ライト(MB/sec) | 550/150 | 550/350 | 500/130 |
4Kランダム リード/ライト(IOPS) | 80,000/40,000 | 90,000/75,000 | 62,000/35,000 |
256/240GBモデル | MX100 | M550 | M500 |
シーケンシャル リード/ライト(MB/sec) | 550/330 | 550/500 | 500/250 |
4Kランダム リード/ライト(IOPS) | 85,000/70,000 | 90,000/80,000 | 72,000/60,000 |
512/480GBモデル | MX100 | M550 | M500 |
シーケンシャル リード/ライト(MB/sec) | 550/500 | 550/500 | 500/400 |
4Kランダム リード/ライト(IOPS) | 90,000/85,000 | 95,000/85,000 | 80,000/80,000 |
【お詫びと訂正】初出時、128GBモデルの4Kランダムリード/ライトの数値が、MX100とM550とで逆になっていました。お詫びして訂正いたします。