左は3D NANDフラッシュメモリの技術世代とセル電流(オン状態の電流)の推移。右は3D NANDフラッシュメモリの技術世代とセルアレイ高さ(相対値)。IMW 2026のSamsungによる基調講演論文から(論文番号1.2)
