3D NANDフラッシュメモリの技術世代とワード線積層数(メモリセル積層数)の推移。第4世代から第9世代まで、開発企業5社の数値をプロットしたとする。第10世代では384層～448層に達すると予想される。IMW 2026のSamsungによる基調講演論文から(論文番号1.2)
