8nmのFinFETロジック製造技術で試作したeMRAMセルの断面をTEMで観察した画像。多層金属配線層の上に下部電極コンタクト(BEC)とMTJを形成している。SamsungがIEDM 2024で公表した論文から(論文番号11-4)

8nmのFinFETロジック製造技術で試作したeMRAMセルの断面をTEMで観察した画像。多層金属配線層の上に下部電極コンタクト(BEC)とMTJを形成している。SamsungがIEDM 2024で公表した論文から(論文番号11-4)