2nm以降もTSMCが主導。トランジスタ構造の変革と先進パッケージング技術への統合(7/7)

高密度セル(HDセル)によるSRAMマクロの記憶密度推移(7nm世代～2nm世代)。TSMCがIEDM 2024で公表した論文(論文番号2-1)から